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- DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM
- 30u" Gold Plating Thickness
- Anti-sulfurization resistance
- 1.2V power consumption
- Samsung original chip
- 100% tested for stability, compatibility and performance
Especificação do Produto Download de Especificação
- Part Number
- Detalhes
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AQD-D4U16N32-SEW
- Manufacturer
- Capacity
- Chip Manufacturer
- Chip Organization
- Rank
- Interface
- Frequency
- Voltage
- PCB Height
- Feature
- Operating Temperature
- Advantech
- 16 GB
- SAMSUNG
- 1 G x 8
- 2 Rank
- 288 pin
- 3200 Mhz
- 1.2 V
- 1.23"
- Unbuffered
- -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F)
Memory
-
Manufacturer
AQD-D4U16N32-SEW Advantech -
Capacity
AQD-D4U16N32-SEW 16 GB -
Chip Manufacturer
AQD-D4U16N32-SEW SAMSUNG -
Chip Organization
AQD-D4U16N32-SEW 1 G x 8 -
Rank
AQD-D4U16N32-SEW 2 Rank -
Interface
AQD-D4U16N32-SEW 288 pin -
Frequency
AQD-D4U16N32-SEW 3200 Mhz -
Voltage
AQD-D4U16N32-SEW 1.2 V -
PCB Height
AQD-D4U16N32-SEW 1.23" -
Feature
AQD-D4U16N32-SEW Unbuffered -
Operating Temperature
AQD-D4U16N32-SEW -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F)
