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DDR3 Memory

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Deliver stable memory technology with Advantech! We offers DDR3 1866/1600/1333 memory with 30μ" gold plating connector (240 pin) featuring 1.35v/1.5v low operating voltage and better bandwidth. With rigorous reliability, vibration tests, and 0 ~ 95℃ (32 ~ 203℉) wide operating temperature range, our certified DIMM is suitable for edge computing, enterprise, embedded, automotive, data centers, and networking applications.

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パーツナンバー Description Memory
    Capacity Chip Manufacturer Chip Organization Feature Manufacturer Operating Temperature PCB Height
パーツナンバー Description Memory
    Capacity Chip Manufacturer Chip Organization Feature Manufacturer Operating Temperature PCB Height
AQD-D3L2GE16-SQ 2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM 2 GB SAMSUNG 128M X 8 ECC Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L2GN16-SQ 2G DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM(G) 2 GB SAMSUNG 256M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L2GN16-SQ1 2G DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM 2 GB SAMSUNG 256M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L4GE16-SG 4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM 4 GB SAMSUNG 512M X 8 ECC Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L4GN16-SG1 4G DDR3-1600 512X8 1.35V & 1.5V SAM 4 GB SAMSUNG 512M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L4GN16-SQ 4G DDR3-1600 256X8 1.35V 1.5V SAM 4 GB SAMSUNG 256M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L4GR16-SG 4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM 4 GB SAMSUNG 512M X 8 Registered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L8GE16-SG 8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM 8 GB SAMSUNG 512M X 8 ECC Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L8GN16-SG 8G DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM(G) 8 GB SAMSUNG 512M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L8GN16-SG1 8G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM 8 GB SAMSUNG 512M X 8 Unbuffered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-D3L8GR16-SG 8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM 8 GB SAMSUNG 512M X 8 Registered Advantech 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F) 1.18"
AQD-SD3L4GN16-SGW 4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 4 GB SAMSUNG 512M X 8 Unbuffered Advantech -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F) 1.18"
AQD-SD3L8GN16-SGW 8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 8 GB SAMSUNG 512M X 8 Unbuffered Advantech -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F) 1.18"

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