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DDR3 Memory

AQD-D3L4GN16-SG1

研華4G DDR3-1600 240針512MX8 1.35V無緩衝三星晶元

  • DDR3 1600兆赫無緩衝記憶體
  • 30μ“ 鍍金厚度
  • 1.35V功耗
  • 三星原裝晶片

技術資源連結：

產品型錄
  • 研華4G DDR3-1600 240針512MX8 1.35V無緩衝三星晶元

規格

Memory
Manufacturer
  • Advantech
Capacity
  • 4 GB
Chip Manufacturer
  • SAMSUNG
Chip Organization
  • 512M X 8
Rank
  • 1 Rank
Interface
  • 240 pin
Frequency
  • 1600 Mhz
Voltage
  • 1.35 V
PCB Height
  • 1.18"
Feature
  • Unbuffered
Operating Temperature
  • 0 ~ 85°C (32 ~ 185°F)

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