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DDR3 Memory

AQD-SD3L8GN16-SGW

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85C

  • 30u“ 鍍金厚度
  • 抗硫化性
  • 三星原裝晶片
  • 寬溫度範圍 -40C 至 +85C
  • 100% 通過穩定性、相容性和性能測試

技術資源連結：

產品型錄
  • 8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85C

規格

Memory
Manufacturer
  • Advantech
Capacity
  • 8 GB
Chip Manufacturer
  • SAMSUNG
Chip Organization
  • 512M X 8
Rank
  • 2 Rank
Interface
  • 204 pin
Frequency
  • 1600 Mhz
Voltage
  • 1.35 V
PCB Height
  • 1.18"
Feature
  • Unbuffered
Operating Temperature
  • -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F)

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